Hersteller Produktnummer:
TSM6502CR RLG
Product Overview
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Teilenummer:
TSM6502CR RLG-DG
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8DFN
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 60V 24A (Tc), 18A (Tc) 40W Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Inventar:
5555 Stück Neu Original Auf Lager
12899139
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TSM6502CR RLG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
24A (Tc), 18A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1159pF @ 30V, 930pF @ 30V
Leistung - Max
40W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Gerätepaket für Lieferanten
8-PDFN (5x6)
Basis-Produktnummer
TSM6502
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
TSM6502CR RLGTR-DG
TSM6502CRRLGCT
TSM6502CR RLGCT
TSM6502CR RLGCT-DG
TSM6502CR RLGDKR
TSM6502CRRLGTR
TSM6502CR RLGDKR-DG
TSM6502CRRLGDKR
TSM6502CR RLGTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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